›› 2014, Vol. 50 ›› Issue (15): 160-165.
赵德文;路新春;何永勇;王同庆
发布日期:2014-08-05
ZHAO Dewen;LU Xinchun; HE Yongyong;WANG Tongqing
Published:2014-08-05
摘要: 化学机械抛光(Chemical mechanical polishing, CMP)材料去除及负载特性主要受界面摩擦影响。对旋转型CMP系统进行了运动学和动力学分析,由此建立了CMP设备抛光界面摩擦负载(包括摩擦力矩和摩擦径向力)表达式。系统研究了CMP设备抛光头&抛光盘主体结构负载特性随运动参数的变化规律,发现抛光头/盘转速比对负载影响最为明显:随转速比的增加,抛光头所受摩擦力矩增加,抛光盘所受摩擦力矩减小;且对抛光头而言存在值为1的临界转速比,当转速比小于1时,摩擦力矩对抛光头为驱动力矩;实际工况下转速比接近1时,抛光头所受摩擦力矩几乎为零,因相对运动而产生的摩擦负载主要由抛光盘承载。在此基础上,采用商用有限元分析软件建立了抛光盘及转子有限元模型,分析了抛光盘在螺钉预紧力、偏心轴向力和摩擦力矩复合载荷作用下的变形特性,为CMP装备设计提供了依据。
中图分类号:
赵德文;路新春;何永勇;王同庆. 化学机械抛光设备负载特性与主体结构变形[J]. , 2014, 50(15): 160-165.
ZHAO Dewen;LU Xinchun;HE Yongyong;WANG Tongqing. Load Characteristic of CMP Equipment and Deformation of Its Main Structure[J]. , 2014, 50(15): 160-165.
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