电子束在MEMS加工中邻近效应的分析与补偿

›› 2004, Vol. 40 ›› Issue (9): 67-70.

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电子束在MEMS加工中邻近效应的分析与补偿

尹明;张玉林;程建辉

山东大学控制科学与工程学院;山东大学机械工程学院

发布日期:2004-09-15

ANALYSIS AND COMPENSATION OF PROXIMITY EFFECT IN MEMS WITH E-BEAM LITHOGRAPHY

Yin Ming;Zhang Yulin;Cheng Jianhui

School of Control Science and Engineering, Shandong University School of Mechanical Engineering,Shandong University

Published:2004-09-15

摘要/Abstract

摘要： 电子束刻蚀后，通过刻蚀改变了薄膜基片中的分子的重量，并导致希望曝光区域和实际曝光区域不一致，这一现象被称为“邻近效应”。利用SDS-3电子束曝光机完成有关邻近效应的试验。加工过程中加速电压为5～ 30 kV，衬底基片为硅和PMMA，使校正后邻近效应参量减少30%。给出实际完成基片图。

关键词: 畸变, 邻近效应, 微机电系统, 校正, 最优状态

Abstract: E-beam irradiation changes the molecular weight of the resist by inducing chemical changes in the film，which leads to the undesired exposure-area and desired area non-uni- form．This is commonly called as “proximity effect”．The proximity effect in the SDS-3 E-beam lithography system is verified by experiments．All exposures are made with 5～30 kV beam accelerating in Si and PMMA resist．After correction parameter h is of low 30% and giving pictures of experiment.

Key words: Correction, Distortion, MEMS, Optimal state, Proximity effect

中图分类号:

TH116

尹明;张玉林;程建辉. 电子束在MEMS加工中邻近效应的分析与补偿[J]. , 2004, 40(9): 67-70.

Yin Ming;Zhang Yulin;Cheng Jianhui. ANALYSIS AND COMPENSATION OF PROXIMITY EFFECT IN MEMS WITH E-BEAM LITHOGRAPHY[J]. , 2004, 40(9): 67-70.

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