计算机硬盘基片的亚纳米级抛光技术研究

›› 2005, Vol. 41 ›› Issue (3): 117-122.

计算机硬盘基片的亚纳米级抛光技术研究

雷红;雒建斌;屠锡富;方亮

上海大学纳米科学与技术研究中心;清华大学摩擦学国家重点实验室;深圳开发磁记录有限公司

发布日期:2005-03-15

SUB-NANOMETER PRECISION POLISHING OF COMPUTER RIGID DISK SUBSTRATE

Lei Hong;Luo Jianbin;Tu Xifu;Fang Liang

Research Center of Nano-science and Nano-technology, Shanghai University State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University Shenzhen Kaifa Magnetic Recording Co., LTD

Published:2005-03-15

摘要/Abstract

摘要： 随着计算机磁头与磁盘间隙的不断减小,硬盘表面要求超光滑(亚纳米级粗糙度)。化学机械抛光技术是迄今几乎唯一的全局平面化技术。研究了抛光液特性与计算机硬盘基片的化学机械抛光性能间的关系，结果表明，抛光后表面的波纹度(Wa)、粗糙度(Ra)以及材料去除量强烈依赖于抛光液中磨粒的粒径、磨粒和氧化剂的浓度等因素。借助对抛光后表面的俄歇能谱(AES)分析，对其化学机械抛光机理进行了探讨。

关键词: CMP机理, 化学机械抛光(CMP), 亚纳米级粗糙度, 硬盘基片

Abstract: With magnetic heads operating closer to hard disks, the hard disks are forced to be ultra-smooth. At present, chem- ical-mechanical polishing (CMP) has become a widely accep- ted global planarization technology. CMP(Chemical-mechan- ical polishing) of computer rigid disk substrate in the slurry containing nano-scale SiO2 particle is studied. Results indicated that the average roughness (Ra) and the average waviness (Wa) of the polished surfaces as well as material removal amount were much dependent on the particle size and the contents of the particle and oxidant. Based on Auger electron spectrogram (AES) examinations of the chemical changes in the polished surfaces with the prepared slurry, the CMP mechanism is deduced preliminarily.

Key words: Chemical-mechanical polishing (CMP), CMP mechanism, Rigid disk substrate, Sub-nanometer roughness

中图分类号:

TH117

雷红;雒建斌;屠锡富;方亮. 计算机硬盘基片的亚纳米级抛光技术研究[J]. , 2005, 41(3): 117-122.

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