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摘要：电子束刻蚀后，通过刻蚀改变了薄膜基片中的分子的重量，并导致希望曝光区域和实际曝光区域不一致，这一现象被称为“邻近效应”。利用SDS-3电子束曝光机完成有关邻近效应的试验。加工过程中加速电压为5～30 kV，衬底基片为硅和PMMA，使校正后邻近效应参量η减少30%。给出实际完成基片图。
关键词：邻近效应
微机电系统
畸变
最优状态
校正
中图分类号：TH116
国家自然科学基金(90307003)和山东省教育厅自然科学基金(03B53)资助项目。20031013收到初稿，20040523收到修改稿
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