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  首页《机械工程学报》2004年7期目录→沉积温度对脉冲真空弧源沉积类金刚石薄膜性能的影响

沉积温度对脉冲真空弧源沉积
类金刚石薄膜性能的影响

 

冷永祥  孙永春  孙  鸿  陈俊英  王  进  黄  楠

(西南交通大学材料科学与工程学院  成都  610031) 

 

摘要:利用脉冲真空弧源沉积技术在Cr17Ni14Cu4不锈钢和Si(100)基体上制备了类金刚石(DLC)薄膜,研究了基体沉积温度对DLC薄膜的性能和结构的影响。研究表明,随着沉积温度由100 ℃提高到400 ℃,DLC薄膜中sp3 键质量分数减少,sp2键质量分数增多,薄膜复合硬度逐渐降低。当DLC薄膜沉积温度达到400 ℃时,薄膜中C原子主要以sp2键形式存在,与沉积温度为100 ℃时制备的DLC薄膜相比,薄膜复合硬度降低50%DLC薄膜具有优异的耐磨性,摩擦因数低,随着沉积温度由100 ℃提高到400 ℃,Cr17Ni14Cu4不锈钢表面沉积的DLC薄膜耐磨性降低。沉积温度为100 ℃时,Cr17Ni14Cu4不锈钢表面沉积的DLC薄膜后,耐磨性大幅度提高。DLC薄膜与不锈钢基体结合牢固。

关键词:类金刚石  耐磨性  脉冲真空弧源沉积  显微硬度  基体温度  X光电子能谱

中图分类号:TG17

国家自然科学基金(No. 30370407,30300087)、国家重点基础研究(G1999064706)和国家高技术研究发展计划(102-12-09-1)资助项目。20030122收到初稿,20040210收到修改稿

 

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